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金属硅复合工艺技术详解

2021-02-04

金属硅复合工艺技术详解

 

随着集成电路工艺技术的不断发展,为了提高集成电路的集成度,提高器件的工作速度,降低其功耗,半导体技术的特征尺寸正在缩小,晶体管的栅ji、源ji和漏ji有源区的尺寸将相应减小,而其等效串联电阻将相应zengda,从而影响电路的速度。为了提高等效串联电阻,半导体行业开发了多晶硅化物和自对准硅化物。

 

diyi种金属硅复合技术是Polycide技术,旨在提高多晶硅栅ji的等效串联电阻和接触孔的接触电阻。Polycide技术只在多晶硅栅ji上形成金属硅化合物,而在源ji和漏ji有源区不形成金属硅化合物,因此不能提高晶体管源ji和漏ji有源区的等效串联电阻和接触电阻。发展自对准硅化物技术是为了改善源ji和漏ji有源区的等效串联电阻和接触孔的接触电阻。自对准硅化物技术不仅在多晶硅栅ji上形成金属硅化合物,而且在源ji和漏ji有源区形成金属硅化合物,提高了栅ji、源ji和漏ji有源区的等效串联电阻和接触孔的接触电阻。

 

本摘要选自《集成电路制造技术与工程应用》第三章第五节。该部分简要介绍了多硅化物工艺技术、自对准硅化物工艺技术和SAB工艺技术的原理,并以纳米级工艺形成的ESD器件和非自对准硅化物器件为例,介绍了SAB和自对准硅化物工艺技术的工程应用。

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